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近年來，隨著國際能效標(biāo)準(zhǔn)要求的不斷提高，常規(guī)的肖特基二極管整流無法滿足在低壓大電流輸出規(guī)格的能效要求（美國 DoE Level VI，歐盟CoC V5 Tier 2）；即使用超低Vf肖特基二極管整流，有的也要增加散熱片，如此就會導(dǎo)致PCB 空間大，功率密度小，效率低，外殼溫度高；用戶手感體驗(yàn)性差等。使用同步整流MOS，在相同輸出電流的情況下，損耗非常小，極大地提升了整機(jī)的轉(zhuǎn)換效率。

開關(guān)電源的工作模式較多（CCM,DCM,QR,BURST）,并且同步整流控制IC都是被動接收同步方式，因此很難避免在任何負(fù)載及全電壓輸入條件下故障發(fā)生，以下是一些常見問題及改善對策

1：MOS管提前開通或關(guān)斷

產(chǎn)生原因：

1）SR IC_gate驅(qū)動輸出受干擾導(dǎo)致提前開通

2）SR IC內(nèi)部斜率檢測電路受干擾，會出現(xiàn)提前開通，或在第一個(gè)Ring開通

3）SR IC_gate開通后受初級漏感和MOS的DS電容振蕩干擾而誤觸發(fā)關(guān)斷MOS

產(chǎn)生影響：

1）SR MOS的Gate被提前關(guān)斷，會導(dǎo)致體內(nèi)二極管導(dǎo)通時(shí)間長，效率低，同步MOS溫度高。

2）從初級Vds或次級Vds看波形，會有大小波出現(xiàn)（針對CCM模式）。

解決對策：

1） 選擇好的SR IC品牌

2） 改善PCB layout（針對外推MOS的SRIC）

3） 調(diào)整初級吸收RCD電路，比如吸收二極管串一個(gè)阻尼電阻

2：初次級MOS共通問題

產(chǎn)生原因：

在CCM中，當(dāng)初級MOS開啟時(shí)，次級MOS應(yīng)該要及時(shí)準(zhǔn)確的關(guān)斷，當(dāng)次級MOS關(guān)斷延時(shí)太長，存在初次級MOS共通的可能

產(chǎn)生影響：

次級會產(chǎn)生很大的反向電流，嚴(yán)重會損壞MOS

解決對策：

1） 選擇Turn-off Time Delay時(shí)間非常短的SR IC

2） 選擇合適的SR MOSFET(使用較小的Qg)

3） 加大Q1_Gate驅(qū)動電阻，減慢其驅(qū)動速度

4） 設(shè)計(jì)恰當(dāng)?shù)拇渭塕C吸收回路參數(shù)

3：輸出電壓下降，紋波大，帶載能力下降

產(chǎn)生原因：

（針對PSR 架構(gòu)下的同步整流應(yīng)用）針對在高壓230Vac條件下其工作頻率去到80KHz或以上的PSR IC方案(BCM/QR，頻率限制在110KHz)，當(dāng)電源系統(tǒng)工作在低壓115V (實(shí)際從170Vac以下電壓都有機(jī)會出現(xiàn)輸出掉坑問題。同步MOS沒打開，體內(nèi)二極管已經(jīng)工作，導(dǎo)致輸出電壓下降(一個(gè)PN結(jié)壓降)。

產(chǎn)生影響：

Vout輸出電壓掉坑，不穩(wěn)定，紋波大，嚴(yán)重情況下會導(dǎo)致輸出電壓直接掉到4.2-4.5V，輸出電流也下降（只能帶到滿載的1/2 or 2/3）

解決對策：

1） 把變壓器感量調(diào)低, 降低工作頻率到80KHz以下會有部分改善,但不能完全解決這個(gè)問題。

2）使用DCM的PSR IC，工作頻率在70KHz以下。

4：輸出短路SCP后，SR MOS管溫度高，輸入瞬時(shí)功率增加

產(chǎn)生原因：

當(dāng)輸出端進(jìn)入短路保護(hù)，初級IC進(jìn)入HiccupMode,如果VCC供電不夠的話，SR MOS進(jìn)入U(xiǎn)VLO欠壓保護(hù),那么Isd就流入MOS體內(nèi)二極管，此時(shí)，SR MOS溫度升高，輸入瞬時(shí)功率相對增大。

解決對策：

1.     選擇Vo短路保護(hù)值低于Vdd_UVLO的SRIC；

2.     如果SR IC沒有Vo短路保護(hù)功能，可嘗試增加Vcc電容容量。